سامسونگ نسل دوم حافظه‌ ۱۰ نانومتری DRAM را عرضه می‌کند

حافظه ی نسل دوم۱۰ نانومتریDDR4جدیدسامسونگبا توجه به استفاده از یک چیپ هشت گیگابیتیDRAMو ابعاد کوچک، دارای بالاترین کارایی و بهره وری انرژی است. این حافظه به منظور استفاده در طیف گسترده ای از سیستم های محاسباتی نسل بعد طراحی شده است.کلاس ۱۰ نانومتر، نشان دهنده ی بخشی از فناوری پردازش بین ۱۰ تا ۱۹ نانومتر است. سامسونگ اولین بار حافظه ی ۱۰ نانومتری DRAM خود را در فوریه ۲۰۱۶ عرضه کرد.

جیویانگ جیمرئیس بخش بازرگانی حافظه در شرکت سامسونگ، می گوید:

با توسعه ی فناوری های نوین در طراحی و پردازش DRAM، یکی از موانع اصلی مقیاس پذیری آن برداشته شده است. همچنین به منظور پاسخگویی به تقاضای بالای بازار و ادامه ی تقویت رقابت تجاری خود، تولیدحافظه ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DRAM را از طریق راه اندازی سریع خط تولید، به سرعت افزایش می دهیم.

بهره وری حافظه ی جدید ۱۰ نانومتری DDR4 سامسونگ حدود ۳۰ درصد از نسل قبلی بیشتر است. به علاوهسطح عملکردوبهره وری انرژیاین پردازنده نیز به دلیل استفاده از فناوری های پیشرفته و مدار اختصاصی طراحی شده، به ترتیب۱۰و۱۵درصد ارتقاء یافته است. همچنین حافظه ی هشت گیگابیتی DDR4 جدید می تواندبا ۳۶۰۰ مگابیت بر ثانیه در هر پین عمل کند که در مقایسه با ۳۲۰۰ مگابیت بر ثانیه در حافظه ی نسل، قبل افزایش داشته است.

برای دستیابی به این دستاوردها؛ سامسونگ به جای استفاده از فرآیندEUV(اشعه فرابنفش)، از فناوری های جدید استفاده کرده است، که شامل استفاده از یک سیستمسنجش داده های سلولی با حساسیت بالاوطرح ایراسپیسر(Air spacer) پیشرفته است.

در سلول های نسل دوم حافظه ی ۱۰ نانومتری DRAM، سیستم جدید سنجش داده ها قادر است میزان داده ی ذخیره شده در هر سلول را به طور دقیق تعیین کند که این موضوع سبب افزایش قابل توجه یکپارچگی مدار و بهره وری تولید می شود.

حافظه ی ۱۰ نانومتری جدید همچنین از یک ایر اسپیسر منحصربه فرد بهره می برد که در اطراف خطوط بیت قرار گرفته است تا به طور چشم گیری باعث کاهش پارازیت ظرفیت خازنی شود.پارازیت ظرفیت خازنی، یک ظرفیت خازنی ناخواسته است که بین قسمت های مدار الکتریکی یا بخش الکتریکی به دلیل مجاورت آن ها با یکدیگر به وجود می آید. زمانی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژهای مختلف بیش از حد به یکدیگر نزدیک هستند، تحت تأثیر میدان الکتریکی یکدیگر قرار می گیرند و بار الکتریکی مخالف را مانند آن هایی که توسط خازن تولید شده است ذخیره می کنند. استفاده از ایر اسپیسر نه تنها باعث مقیاس گذاری در سطح بالا می شود بلکه سرعت عمل سلول را نیز افزایش می دهد.

با این پیشرفت ها به نظر می رسد سامسونگ در حال شتاب دادن برنامه های خود برای معرفی هر چه سریع تر سیستم ها و چیپ های نسل بعد شاملDDR5،HBM3،LPDDR5وGDDR6است که می توان از آن ها در سرورهای سازمانی، دستگاه های تلفن همراه، ابررایانه ها، سیستم های HPC و کارت های گرافیک سرعت بالا استفاده کرد.

سامسونگ قرارداد همکاری با شرکت های سازنده ی پردازشگر برای ساخت ماژول ۱۰ نانومتری DDR4 نسل دوم خود را نهایی کرده است و در مرحله ی بعد در نظر دارد با مشتریان بخش IT (فناوری اطلاعات) برای توسعه ی سیستم های محاسباتی کارآمدتر نسل بعد همکاری کند.

علاوه بر این، سامسونگ به عنوان رهبر تولید DRAM، نه تنها انتظار دارد به سرعت حجم تولید حافظه ی ۱۰ نانومتری نسل دوم را در خطوط تولید افزایش دهد؛ بلکه در نظر دارد این میزان تولید بیش از حافظه ی ۱۰ نانومتری نسل اول باشد که این موضوع سبب رشد تقاضای DRAM برای استفاده در سیستم های الکترونیکی پیشرفته در جهان است.