سامسونگ تولید انبوه تراشه‌ حافظه‌ GDDR6 را در دستور کار دارد

سامسونگدر تولید تراشه ی حافظه یGDDR6، گوی سبقت را از دو شرکت هاینیکس و میکرون ربوده و عنوان اولین تولید کننده ی انبوه این نوع تراشه را به خود اختصاص داده است. تراشه های ۱۶ گیگابیتی (۲ گیگابایت) سامسونگ بر پایه ی معماری ۱۰ نانومتری ساخته شده اند و در ۱.۳۵ ولت کار می کنند. تراشه های جدید دارای سرعت ۱۸ گیگابیت بر ثانیه در هر پین هستند و سرعت انتقال آن ها به ۷۲ گیگابایت بر ثانیه خواهد رسید. تراشه های کنونی GDDR5 سامسونگ با سرعت ۸ گیگابیت (۱ گیگابایت)، علاوه بر داشتن نصف ظرفیت چیپ های جدید، در ۱.۵۵ ولت و با سرعت پایین تر ۹ گیگابیت بر ثانیه در هر پین کار می کنند. سامسونگ تلویحا در یک کنفرانس خبری قبل از برگزاری نمایشگاه CES 2018به سرعت و قابلیت این نوع از تراشه ها اشاره کرده بود. با این حال سرعت این تراشه ها به طور قابل توجهی سریع تر از گفته های پیشین سامسونگ مبنی بر سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه در هر پینو سرعت انتقال ۶۴ گیگابایت بر ثانیه است.

با توجه به رقابتی که بین سامسونگ با هاینیکس و میکرون وجود دارد، شرکت هاینیکس دست به کار شد و حدود ۶ ماه پیش جزئیات تراشه ی جدید GDDR6 خود را منتشر کرد؛ در همین حال شرکت Micronاعلام کرده است تراشه های این شرکت اوایل سال جاری به تولید انبوه خواهند رسید. در جزئیاتی که پیش تر توسط هاینیکس اعلام شد، اولین تراشه یGDDR6این شرکت یک تراشه ی ۸ گیگابیتی با سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه در هر پین خواهد بود که در ۱.۳۵ ولت کار می کند و برنامه ی هاینیکس برای عرضه ی تراشه ی ۱۶ گیگابیتی بعد از عرضه ی نمونه ی ۸ گیگابیتی آن خواهد بود. در آن سو میکرون هرگز درباره ی یک تراشه ی خاص جزئیاتی منتشر نکرده است؛ اما پیش بینی کرده که تراشه هایGDDR6 این شرکت، با سرعت ۱۲ گیگابیت بر ثانیه شروع شود (سرعتی معادل تراشه های کنونی GDDR5X میکرون) و در نهایت به عرضه ی تراشه با سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه برسند.

به منظور اطمینان بیشتر از تراشه ی جدید سامسونگ در رسیدن به سرعت های ادعا شده و شکست رقبا، مجبور هستیم تا زمان استفاده ی این نوع از تراشه روی کارت های گرافیک منتظر بمانیم.