نسل بعدی سرفیس پرو احتمالا USB-C مغناطیسی خواهد داشت

شرکتمایکروسافتبه تازگی پتنت جدیدی ثبت کرده که سیستم آهن ربایی در درگاه و کابلUSB-Cرا شامل می شود؛ بدین ترتیب، کابل شارژر آسان تر وبا سرعت بیشتری به تبلت های آینده ی  سرفیس  متصل   خواهد   شد که این امر موجب انتقال اطلاعات سریع تر می شود.

درست است که تبلتسرفیس پرو ۶از درگاه اختصاصی بهره می برد؛ اما تبلتسرفیس Goاز درگاه USB-C استفاده می کند. پس، به احتمال زیاد در آینده از همین درگاه در خط تولید سرفیس پرو آینده استفاده خواهد شد.این اختراع را سازمان جهانی مالکیت فکری (WIOP) در ۲۳مِی امسال با شماره ثبت US20180375251 و با ناممکانیسم چفت فعال   مغناطیسی  (Magnetically Activated Latch Mechanism) ثبت کرده است.

اطلاعات موجود در پرونده ی اختراع نشان می دهند که در دو طرف کابلUSB-C این پتنت آهن ربا تعبیه شده و در دو طرف داخل حفره ی درگاه تبلت نیز از موادی با خاصیت مغناطیسی استفاده شده است. بدین ترتیب اگر کابل و درگاه فاصله ی کم وبیش زیادی ازهم   داشت  ه باشند، به راحتی و بدون نیروی خارجی می توانند به هم متصل شوند یا با نیروی بیشتری بدون آسیب زدن به درگاه ازهم جدا شوند.

وقتی کابل های معمولی USB-C به درگاه متصل می شوند، قفل داخلی از درون درگاه اتصال را محکم نگاه می دارد. باوجوداین، وقتی از کابل مغناطیسی استفاده می شود، نیروی مغناطیسی موجود درون درگاه قفل را غیرفعال می کند و اجازه می دهد کابل USB با استفاده از نیروی مغناطیسی در جای خود حفظ شود.

با قرارگیری کابل در درگاه به صورت مغناطیسی کاربران دیگر مجبور نخواهند بود کابل را به درون روزنه فشار دهند؛ بلکهمی توانند با کشیدن کابل از تبلت اتصال را به راحتی جدا کنند.انجام این کار در اتصال عادی ممکن است به دستگاه آسیب برساند؛ اما هنگام استفاده از اتصال مغناطیسی مشکلی پیش نخواهد آمد. درهرصورت ثبت اختراع به معنی استفاده ی حتمی مایکروسافت از آن در تبلت های آینده سرفیس پرو نخواهد بود؛ اما گامی در مسیر صحیح خواهد بود.